Single- and double-heterostructure GaN-HEMTs devices for power switching applications. - Alberto Zanandrea; Eldad Bahat-Treidel; Fabiana Rampazzo; Antonio Stocco; Matteo Meneghini; Enrico Zanoni; Oliver Hilt; Ponky Ivo; Joachim Würfl; Gaudenzio Meneghesso (Microelectron. Reliab., 2012)

Comparison of the performances of an InAlN/GaN HEMT with a Mo/Au gate or a Ni/Pt/Au gate. - Isabella Rossetto; Fabiana Rampazzo; Riccardo Silvestri; Alberto Zanandrea; Christian Dua; Sylvain L. Delage; Mourad Oualli; Matteo Meneghini; Enrico Zanoni; Gaudenzio Meneghesso (Microelectron. Reliab., 2013)

Degradation of dc and pulsed characteristics of InAlN/GaN HEMTs under different proton fluences. - Isabella Rossetto; Fabiana Rampazzo; Simone Gerardin; Matteo Meneghini; Marta Bagatin; Alberto Zanandrea; Alessandro Paccagnella; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni; Christian Dua; Marie-Antoinette di Forte-Poisson; Raphael Aubry; et al. (ESSDERC, 2014)