Hot Carrier Degradation and performance boost on Si Channel nFET Gate-All-Around Nanosheet Devices. - H. Zhou; M. Hasanuzzaman; S. D. Suk; S. Emans; S. Siddiqui; R. Robison; R. Vega; M. Wang; Yasir Sulehria; S. Mochizuki; C. Durfee; Oleg Gluschenkov; et al. (IRPS, 2025)