Correlation between MOSFETs breakdown and 4H-SiC epitaxial defects. - Patrick Fiorenza; Salvatore Adamo; Mario Santo Alessandrino; Cettina Bottari; Beatrice Carbone; Clarice Di Martino; Alfio Russo; Mario Saggio; Carlo Venuto; Elisa Vitanza; Edoardo Zanetti; Filippo Giannazzo; et al. (IRPS, 2021)

Failure Analysis of AlGaN/GaN Power HEMTs through an innovative sample preparation approach. - R. L. Torrisi; Salvatore Adamo; Mario Santo Alessandrino; Cettina Bottari; Beatrice Carbone; M. Palmisciano; Elisa Vitanza (IRPS, 2022)