4-Mb MOSFET-selected phase-change memory experimental chip. - Ferdinando Bedeschi; Roberto Bez; Chiara Boffino; Edoardo Bonizzoni; Egidio Cassiodoro Buda; Giulio Casagrande; Lucio Costa; Marco Ferraro; Roberto Gastaldi; Osama Khouri; Federica Ottogalli; Fabio Pellizzer; et al. (ESSCIRC, 2004)

High-efficiency control structure for CMOS flash memory charge pumps. - Chiara Boffino; Alessandro Cabrini; Osama Khouri; Guido Torelli (ISCAS (1), 2005)

4-Mb MOSFET-selected μtrench phase-change memory experimental chip. - Ferdinando Bedeschi; Roberto Bez; Chiara Boffino; Edoardo Bonizzoni; Egidio Cassiodoro Buda; Giulio Casagrande; Lucio Costa; Marco Ferraro; Roberto Gastaldi; Osama Khouri; Federica Ottogalli; Fabio Pellizzer; et al. (IEEE J. Solid State Circuits, 2005)

A low-ripple voltage tripler. - Ferdinando Bedeschi; Chiara Boffino; Edoardo Bonizzoni; Osama Khouri; Giorgio Pollaccia; Claudio Resta; Guido Torelli (ISCAS, 2006)

Staircase-down SET programming approach for phase-change memories. - Ferdinando Bedeschi; Chiara Boffino; Edoardo Bonizzoni; Claudio Resta; Guido Torelli (Microelectron. J., 2007)

A read/write front-end for an antifuse One-Time-Programmable memory in High Voltage Silicon-On-Insulator technology. - Martina Arosio; Chiara Boffino; Sergio Morini; Dirk Priefert; Oezguer Albayrak; Viktor Boguszewicz; Andrea Baschirotto (ICECS, 2019)