Correlation between MOSFETs breakdown and 4H-SiC epitaxial defects. - Patrick Fiorenza; Salvatore Adamo; Mario Santo Alessandrino; Cettina Bottari; Beatrice Carbone; Clarice Di Martino; Alfio Russo; Mario Saggio; Carlo Venuto; Elisa Vitanza; Edoardo Zanetti; Filippo Giannazzo; et al. (IRPS, 2021)

Effect of interface and bulk charges on the breakdown of nitrided gate oxide on 4H-SiC. - Bruna Mazza; Salvatore Patané; Francesco Cordiano; Massimiliano Giliberto; Giovanni Renna; Andrea Severino; Edoardo Zanetti; Massimo Boscaglia; Giovanni Franco (IRPS, 2021)

Consideration on the extrapolation of the low insulator field TDDB in 4H-SiC power MOSFETs. - Patrick Fiorenza; Francesco Cordiano; Mario Santo Alessandrino; Alfio Russo; Edoardo Zanetti; Mario Saggio; C. Bongiorno; Filippo Giannazzo; Fabrizio Roccaforte (IRPS, 2023)