Correlation between MOSFETs breakdown and 4H-SiC epitaxial defects. - Patrick Fiorenza; Salvatore Adamo; Mario Santo Alessandrino; Cettina Bottari; Beatrice Carbone; Clarice Di Martino; Alfio Russo; Mario Saggio; Carlo Venuto; Elisa Vitanza; Edoardo Zanetti; Filippo Giannazzo; et al. (IRPS, 2021)

Failure analysis addressing method of optically undetected defectivity on 4H-SiC PowerMOSFET epitaxial layer. - Mario Santo Alessandrino; Beatrice Carbone; Francesco Cordiano; Bruna Mazza; Alfio Russo; W. Coco; Massimo Boscaglia; A. Di Salvo; A. Lombardo; D. Scarcella; Elisa Vitanza; Patrick Fiorenza (IRPS, 2022)

Failure Analysis of AlGaN/GaN Power HEMTs through an innovative sample preparation approach. - R. L. Torrisi; Salvatore Adamo; Mario Santo Alessandrino; Cettina Bottari; Beatrice Carbone; M. Palmisciano; Elisa Vitanza (IRPS, 2022)

Carrot-like crystalline defects on the 4H-SiC powerMOSFET yield and reliability. - Beatrice Carbone; Mario Santo Alessandrino; Alfio Russo; Elisa Vitanza; Filippo Giannazzo; Patrick Fiorenza; Fabrizio Roccaforte (IRPS, 2023)

Backside Failure Analysis of IGBT power devices assembled in STPAK. - Elisa Vitanza; C. Realmuto; M. La Marca; L. Torrisi (IRPS, 2023)

Influence of Starting Material on Final Device in SiC Power Technologies. - N. Piluso; R. Anzalone; E. Fontana; G. Maira; G. Bellocchi; C. Calabretta; S. Alessandrino; F. Vento; C. Nania; Salvatore Adamo; Elisa Vitanza; N. Bentivenga; et al. (IRPS, 2025)