Correlation between MOSFETs breakdown and 4H-SiC epitaxial defects. - Patrick Fiorenza; Salvatore Adamo; Mario Santo Alessandrino; Cettina Bottari; Beatrice Carbone; Clarice Di Martino; Alfio Russo; Mario Saggio; Carlo Venuto; Elisa Vitanza; Edoardo Zanetti; Filippo Giannazzo; et al. (IRPS, 2021)

Identification of Interface States responsible for VTH Hysteresis in packaged SiC MOSFETs. - Marcello Cioni; Patrick Fiorenza; Fabrizio Roccaforte; Mario Saggio; Salvatore Cascino; Angelo Alberto Messina; Vincenzo Vinciguerra; Michele Calabretta; Alessandro Chini (IRPS, 2022)

SiO2/4H-SiC interfacial chemistry as origin of the threshold voltage instability in power MOSFETs. - Patrick Fiorenza; Corrado Bongiorno; Angelo Alberto Messina; Mario Saggio; Filippo Giannazzo; Fabrizio Roccaforte (IRPS, 2022)

Carrot-like crystalline defects on the 4H-SiC powerMOSFET yield and reliability. - Beatrice Carbone; Mario Santo Alessandrino; Alfio Russo; Elisa Vitanza; Filippo Giannazzo; Patrick Fiorenza; Fabrizio Roccaforte (IRPS, 2023)

Consideration on the extrapolation of the low insulator field TDDB in 4H-SiC power MOSFETs. - Patrick Fiorenza; Francesco Cordiano; Mario Santo Alessandrino; Alfio Russo; Edoardo Zanetti; Mario Saggio; C. Bongiorno; Filippo Giannazzo; Fabrizio Roccaforte (IRPS, 2023)

A novel experiment approach to ohmic contact formation on p-doped SiC. - Roberto Vabres; Gabriele Bellocchi; Simone Rascunà; Fabrizio Roccaforte; Paola Mancuso; Paolo Badalà; Valeria Puglisi; Marilena Vivona; Isodiana Crupi (DCIS, 2024)