Reliability of Medium Blocking Voltage Power VDMOSFET in Radiation Environment. - Francesco Velardi; Francesco Iannuzzo; Giovanni Busatto; Jeffery Wyss; Annunziata Sanseverino; A. Candelori; Giuseppe Currò; Alessandra Cascio; Ferruccio Frisina (Microelectron. Reliab., 2003)

The Role of the Parasitic BJT Parameters on the Reliability of New Generation Power MOSFET during Heavy Ion Exposure. - Francesco Velardi; Francesco Iannuzzo; Giovanni Busatto; Alberto Porzio; Annunziata Sanseverino; Giuseppe Currò; Alessandra Cascio; Ferruccio Frisina (Microelectron. Reliab., 2004)