A 3bit/cell 32Gb NAND flash memory at 34nm with 6MB/s program throughput and with dynamic 2b/cell blocks configuration mode for a program throughput increase up to 13MB/s. - G. G. Marotta; Agostino Macerola; Andrea D'Alessandro; A. Torsi; C. Cerafogli; C. Lattaro; C. Musilli; D. Rivers; Emanuele Sirizotti; F. Paolini; G. Imondi; G. Naso; et al. (ISSCC, 2010)

A 128Gb 3b/cell NAND flash design using 20nm planar-cell technology. - Giovanni Naso; L. Botticchio; M. Castelli; C. Cerafogli; M. Cichocki; P. Conenna; Andrea D'Alessandro; Luca De Santis; Domenico Di Cicco; W. Di Francesco; M. L. Gallese; Girolamo Gallo; et al. (ISSCC, 2013)