Room temperature plasma oxidation mechanism to obtain ultrathin silicon oxide and titanium oxide layers. - Julio C. Tinoco; Magali Estrada; G. Romero (Microelectron. Reliab., 2003)

Analog switch device using a MOS structure. - Héctor Juárez; Tomás Díaz; Mauricio Pacio; C. Pacheco; E. Rosendo; G. García Salgado; M. Rubin; G. Romero; A. García; C. Morales (Microelectron. J., 2008)