Highly Reliable and Manufacturable MRAM embedded in 14nm FinFET node. - S. Ko; J. H. Park; J. H. Bak; H. Jung; J. Shim; D. S. Kim; W. Lim; D.-E. Jeong; J. H. Lee; K. Lee; J.-H. Park; Y. Kim; et al. (VLSI Technology and Circuits, 2023)

Exploring Innovative IGZO-channel based DRAM Cell Architectures and Key Technologies for Sub-10nm Node. - Daewon Ha; Y. Lee; Shinjae Yoo; W. Lee; M. H. Cho; K. Yoo; S. M. Lee; S. Lee; M. Terai; T. H. Lee; J. H. Bae; K. J. Moon; et al. (IMW, 2024)

Device Design and Reliability of GAA MBCFET. - M. Kang; M. Chang; Y. Park; C. Noh; S. H. Hong; B. Park; Y. H. Park; Y. C. Jung; W. S. Lim; G. H. Kim; Y. Lee; H. Yang; et al. (IRPS, 2024)

A Novel Method for Extracting Asymmetric Source and Drain Resistance in IGZO Vertical Channel Transistors. - S. W. Yoo; Y. Lee; W. J. Jung; H. Kim; S. Byeon; M. Kim; J. Lee; T. Lee; M. J. Hong; Y. G. Song; S. Lee; M. Terai; et al. (VLSI Technology and Circuits, 2024)