Anomalous narrow width effect in p-channel metal-oxide-semiconductor surface channel transistors using shallow trench isolation technology. - W. S. Lau; K. S. See; C. W. Eng; W. K. Aw; Kang-Hyun Jo; K. C. Tee; James Y. M. Lee; Elgin K. B. Quek; H. S. Kim; Simon T. H. Chan; L. Chan (Microelectron. Reliab., 2008)