A 90nm 4Mb embedded phase-change memory with 1.2V 12ns read access time and 1MB/s write throughput. - Guido De Sandre; Luca Bettini; Alessandro Pirola; Lionel Marmonier; Marco Pasotti; Massimo Borghi; Paolo Mattavelli; Paola Zuliani; Luca Scotti; Gianfranco Mastracchio; Ferdinando Bedeschi; Roberto Gastaldi; et al. (ISSCC, 2010)

A 4 Mb LV MOS-Selected Embedded Phase Change Memory in 90 nm Standard CMOS Technology. - Guido De Sandre; Luca Bettini; Alessandro Pirola; Lionel Marmonier; Marco Pasotti; Massimo Borghi; Paolo Mattavelli; Paola Zuliani; Luca Scotti; Gianfranco Mastracchio; Ferdinando Bedeschi; Roberto Gastaldi; et al. (IEEE J. Solid State Circuits, 2011)

Improving Ge-rich GST ePCM reliability through BEOL engineering. - Andrea Redaelli; Anna Gandolfo; Giulia Samanni; Enrico Gomiero; Elisa Petroni; Luca Scotti; Andrea Lippiello; Paolo Mattavelli; J. Jasse; D. Codegoni; A. Serafini; Rossella Ranica; et al. (ESSDERC, 2021)