Trapping in $ text{Al}_{2} mathrm{O}_{3}/ text{GaN}$ MOScaps investigated by fast capacitive techniques. - Manuel Fregolent; Alberto Marcuzzi; Carlo De Santi; Eldad Bahat-Treidel; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni; Matteo Meneghini (IRPS, 2023)

On-Wafer Dynamic Operation of Power GaN-HEMTs: Degradation Processes Investigated by a Novel Experimental Approach. - Mirco Boito; Manuel Fregolent; Carlo De Santi; A. Abbisogni; S. Smerzi; Isabella Rossetto; Ferdinando Iucolano; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni; Matteo Meneghini (IRPS, 2024)

Evidence for Avalanche Operation in Sub-Micrometer Power GaN HEMTs with p-GaN Gate. - Riccardo Fraccaroli; Matteo Dell'Andrea; Manuel Fregolent; Mirco Boito; Carlo De Santi; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni; Eleonora Canato; Isabella Rossetto; Alessio Pirani; Giansalvo Pizzo; Cristina Miccoli; et al. (IRPS, 2025)

Comprehensive Analysis of Deep level Effects and in-situ Photoionization in 0.15 $ mu mathrm{m}$ buffer-free AIGaN/GaN HEMTs for RF applications. - Francesco de Pieri; Manuel Fregolent; Marco Saro; Andrea Carlotto; Mirco Boito; Carlo De Santi; Fabiana Rampazzo; Gaudenzio Meneghesso; Matteo Meneghini; Enrico Zanoni (IRPS, 2025)