Correlation between MOSFETs breakdown and 4H-SiC epitaxial defects. - Patrick Fiorenza; Salvatore Adamo; Mario Santo Alessandrino; Cettina Bottari; Beatrice Carbone; Clarice Di Martino; Alfio Russo; Mario Saggio; Carlo Venuto; Elisa Vitanza; Edoardo Zanetti; Filippo Giannazzo; et al. (IRPS, 2021)

Identification of Interface States responsible for VTH Hysteresis in packaged SiC MOSFETs. - Marcello Cioni; Patrick Fiorenza; Fabrizio Roccaforte; Mario Saggio; Salvatore Cascino; Angelo Alberto Messina; Vincenzo Vinciguerra; Michele Calabretta; Alessandro Chini (IRPS, 2022)

SiO2/4H-SiC interfacial chemistry as origin of the threshold voltage instability in power MOSFETs. - Patrick Fiorenza; Corrado Bongiorno; Angelo Alberto Messina; Mario Saggio; Filippo Giannazzo; Fabrizio Roccaforte (IRPS, 2022)

Consideration on the extrapolation of the low insulator field TDDB in 4H-SiC power MOSFETs. - Patrick Fiorenza; Francesco Cordiano; Mario Santo Alessandrino; Alfio Russo; Edoardo Zanetti; Mario Saggio; C. Bongiorno; Filippo Giannazzo; Fabrizio Roccaforte (IRPS, 2023)

Innovative Solutions to Make Driving Safer, Greener and More Connected. - Salvatore Cascino; Mario Saggio; Antonio Imbruglia; Filippo Scrimizzi; Mario Pulvirenti; Alessandro Tumminia; Gaetano Sicurella; Vincenzo Alessandro Magagnini; Mario Paparo (M&N, 2024)