High power lasers based on submonolayer InAs-GaAs quantum dots and InGaAs quantum wells. - A. R. Kovsh; A. E. Zhukov; N. A. Maleev; S. S. Mikhrin; D. A. Livshits; Y. M. Shernyakov; M. V. Maximov; N. A. Pihtin; I. S. Tarasov; V. M. Ustinov (Microelectron. J., 2003)