Charge Trapping in GaN Power Transistors: Challenges and Perspectives. - Matteo Meneghini; Nicola Modolo; Arianna Nardo; Carlo De Santi; Andrea Minetto; Luca Sayadi; Christian Koller; Sebastien Sicre; Gerhard Prechtl; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni (BCICTS, 2021)

A Generalized Approach to Determine the Switching Reliability of GaN HEMTs on-Wafer Level. - Nicola Modolo; Andrea Minetto; Carlo De Santi; Luca Sayadi; Sebastien Sicre; Gerhard Prechtl; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni; Matteo Meneghini (IRPS, 2021)

Deep level effects and degradation of 0.15 μm RF AlGaN/GaN HEMTs with Mono-layer and Bi-layer AlGaN backbarrier. - Zhan Gao; Francesca Chiocchetta; Carlo De Santi; Nicola Modolo; Fabiana Rampazzo; Matteo Meneghini; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni; Hervé Blanck; H. Stieglauer; D. Sommer; Benoit Lambert; et al. (IRPS, 2022)

Modeling Hot-Electron Trapping in GaN-based HEMTs. - Nicola Modolo; Carlo De Santi; Andrea Minetto; Luca Sayadi; Sebastien Sicre; Gerhard Prechtl; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni; Matteo Meneghini (IRPS, 2022)