Defects induced anomalous breakdown kinetics in Pr2O3 by micro- and nano-characterization. - Patrick Fiorenza; Raffaella Lo Nigro; Vito Raineri; Salvatore Lombardo; Roberta G. Toro; Graziella Malandrino; Ignazio L. Fragalà (Microelectron. Reliab., 2007)

Correlation between MOSFETs breakdown and 4H-SiC epitaxial defects. - Patrick Fiorenza; Salvatore Adamo; Mario Santo Alessandrino; Cettina Bottari; Beatrice Carbone; Clarice Di Martino; Alfio Russo; Mario Saggio; Carlo Venuto; Elisa Vitanza; Edoardo Zanetti; Filippo Giannazzo; et al. (IRPS, 2021)

Failure analysis addressing method of optically undetected defectivity on 4H-SiC PowerMOSFET epitaxial layer. - Mario Santo Alessandrino; Beatrice Carbone; Francesco Cordiano; Bruna Mazza; Alfio Russo; W. Coco; Massimo Boscaglia; A. Di Salvo; A. Lombardo; D. Scarcella; Elisa Vitanza; Patrick Fiorenza (IRPS, 2022)

Identification of Interface States responsible for VTH Hysteresis in packaged SiC MOSFETs. - Marcello Cioni; Patrick Fiorenza; Fabrizio Roccaforte; Mario Saggio; Salvatore Cascino; Angelo Alberto Messina; Vincenzo Vinciguerra; Michele Calabretta; Alessandro Chini (IRPS, 2022)

SiO2/4H-SiC interfacial chemistry as origin of the threshold voltage instability in power MOSFETs. - Patrick Fiorenza; Corrado Bongiorno; Angelo Alberto Messina; Mario Saggio; Filippo Giannazzo; Fabrizio Roccaforte (IRPS, 2022)

Carrot-like crystalline defects on the 4H-SiC powerMOSFET yield and reliability. - Beatrice Carbone; Mario Santo Alessandrino; Alfio Russo; Elisa Vitanza; Filippo Giannazzo; Patrick Fiorenza; Fabrizio Roccaforte (IRPS, 2023)

Consideration on the extrapolation of the low insulator field TDDB in 4H-SiC power MOSFETs. - Patrick Fiorenza; Francesco Cordiano; Mario Santo Alessandrino; Alfio Russo; Edoardo Zanetti; Mario Saggio; C. Bongiorno; Filippo Giannazzo; Fabrizio Roccaforte (IRPS, 2023)