Degradation of dc and pulsed characteristics of InAlN/GaN HEMTs under different proton fluences. - Isabella Rossetto; Fabiana Rampazzo; Simone Gerardin; Matteo Meneghini; Marta Bagatin; Alberto Zanandrea; Alessandro Paccagnella; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni; Christian Dua; Marie-Antoinette di Forte-Poisson; Raphael Aubry; et al. (ESSDERC, 2014)

Influence of different carbon doping on the performance and reliability of InAlN/GaN HEMTs. - Isabella Rossetto; Fabiana Rampazzo; Matteo Meneghini; Marco Silvestri; Christian Dua; Piero Gamarra; Raphael Aubry; Marie-Antoinette di Forte-Poisson; O. Patard; Sylvain L. Delage; Gaudenzio Meneghesso; Enrico Zanoni (Microelectron. Reliab., 2014)