A new test methodology for an exhaustive study of single-event-effects on power MOSFETs. - Giovanni Busatto; D. Bisello; Giuseppe Currò; Piero Giubilato; Francesco Iannuzzo; S. Mattiazzo; D. Pantano; Annunziata Sanseverino; Luca Silvestrin; M. Tessaro; Francesco Velardi; Jeffery Wyss (Microelectron. Reliab., 2011)

CHIPIX65: Developments on a new generation pixel readout ASIC in CMOS 65 nm for HEP experiments. - N. Demaria; G. Dellacasa; G. Mazza; Angelo Rivetti; Manuel D. Da Rocha Rolo; E. Monteil; L. Pacher; Fabio Ciciriello; Francesco Corsi; Cristoforo Marzocca; G. De Roberts; F. Loddo; et al. (IWASI, 2015)

Experimental study of Single Event Effects induced by heavy ion irradiation in enhancement mode GaN power HEMT. - Carmine Abbate; Giovanni Busatto; Francesco Iannuzzo; S. Mattiazzo; Annunziata Sanseverino; Luca Silvestrin; D. Tedesco; Francesco Velardi (Microelectron. Reliab., 2015)

Impact of GigaRad Ionizing Dose on 28 nm bulk MOSFETs for future HL-LHC. - Alessandro Pezzotta; C.-M. Zhang; Farzan Jazaeri; Claudio Bruschini; Giulio Borghello; Federico Faccio; S. Mattiazzo; Andrea Baschirotto; Christian C. Enz (ESSDERC, 2016)

Total ionizing dose effects on analog performance of 28 nm bulk MOSFETs. - C.-M. Zhang; Farzan Jazaeri; Alessandro Pezzotta; Claudio Bruschini; Giulio Borghello; S. Mattiazzo; Andrea Baschirotto; Christian C. Enz (ESSDERC, 2017)

1GigaRad TID impact on 28 nm HEP analog circuits. - Federica Resta; Simone Gerardin; S. Mattiazzo; Alessandro Paccagnella; Marcello De Matteis; Christian C. Enz; Andrea Baschirotto (Integr., 2018)

Progressive drain damage in SiC power MOSFETs exposed to ionizing radiation. - Carmine Abbate; Giovanni Busatto; S. Mattiazzo; Annunziata Sanseverino; Luca Silvestrin; D. Tedesco; Francesco Velardi (Microelectron. Reliab., 2018)

Depleted MAPS on a 110 nm CMOS CIS Technology. - Raffaele Aaron Giampaolo; Andrea Di Salvo; Lucio Pancheri; Tommaso Croci; Jonhatan Olave; Angelo Rivetti; Manuel Da Rocha Rolo; Serena Mattiazzo; Piero Giubilato (ICECS, 2019)

On the Vulnerability of UMOSFETs in Terrestrial Radiation Environments. - Saulo G. Alberton; Alexis C. Vilas Bôas; Jeffery Wyss; Vitor A. P. Aguiar; Matheus S. Pereira; Luca Silvestrin; Serena Mattiazzo; Alessandro Paccagnella; Carlo Cazzaniga; Maria Kastriotou; Christopher D. Frost; Nilberto H. Medina (IEEE Access, 2025)