Correlation between MOSFETs breakdown and 4H-SiC epitaxial defects. - Patrick Fiorenza; Salvatore Adamo; Mario Santo Alessandrino; Cettina Bottari; Beatrice Carbone; Clarice Di Martino; Alfio Russo; Mario Saggio; Carlo Venuto; Elisa Vitanza; Edoardo Zanetti; Filippo Giannazzo; et al. (IRPS, 2021)

Failure Analysis of AlGaN/GaN Power HEMTs through an innovative sample preparation approach. - R. L. Torrisi; Salvatore Adamo; Mario Santo Alessandrino; Cettina Bottari; Beatrice Carbone; M. Palmisciano; Elisa Vitanza (IRPS, 2022)

Influence of Starting Material on Final Device in SiC Power Technologies. - N. Piluso; R. Anzalone; E. Fontana; G. Maira; G. Bellocchi; C. Calabretta; S. Alessandrino; F. Vento; C. Nania; Salvatore Adamo; Elisa Vitanza; N. Bentivenga; et al. (IRPS, 2025)